近年来，电力电子行业发展迅猛，而充电桩作为新能源汽车的重要基础设施，其技术创新也在不断推进。尤其是在单级变换技术的应用上，倾佳电子的杨茜正引领着国产SiC碳化硅MOSFET的崛起，为行业带来了不可以小看的改变。

  2025年，面对全球电动汽车市场的加快速度进行发展，充电桩的技术革新势在必行。杨茜指出，采用单级变换技术的充电桩电源模块在体积、功率密度和效率方面优势显著，但也面临诸多挑战。比如，这项技术可以通过减少功率变换级数，实现电路结构的简化，从而明显提高模块的功率密度。多个方面数据显示，部分单级模块的转换效率高达97.5%，这真是一个令人惊叹的数字！

  然而，单级变换技术可不是一帆风顺。它的工频纹波较大，导致电池SOC/SOH算法需针对性调整，而这恰恰是当前车载BMS普遍未适配的领域。这听起来让人很头疼，可是杨茜却认为，这正是我们提升技术、实现市场突破的机会。

  为什么选择国产SiC MOSFET来替代传统的IGBT模块呢？我们大家都知道，SiC MOSFET在高功率密度和高温稳定性方面具备独特优势。以BASiC基本股份的B2M040120Z为例，其低导通电阻和优异的开关特性，让充电桩整机效率与进口产品相当，甚至在某些特定工况下取得更好的表现。

  高温下，BASiC的SiC MOSFET也展现出极佳的耐受性，275°C下RDS(on)增幅明显优于进口品，这再一次证明了国产技术的强大。眨眼间，我们拥有了可以匹敌国际大牌的充电桩技术，这是多么令人振奋的消息！

  当然，挑战永远与机遇并存。目前，单级变换技术在动态性能上的表现尚不如传统的两级拓扑，这也是一个不容忽视的短板。频繁启停和负载突变的场景中，突然的电流变化会对设备造成一定的压力。这时候，如何在保持高效率的同时确保电力系统的稳定性，将成为未来研发的重要课题。

  除此之外，从市场反馈来看，尽管已有厂家在推广单级模块，但行业主流依然以两级拓扑为主。如何打破这一“惯性思维”，让更多企业和消费的人接受单级变换技术，提升技术的市场接受度，这是行业亟需解决的问题。

  为了解决这样一些问题，倾佳电子与BASiC基本股份已在系统集成与成本优势方面展开合作，形成“驱动芯片+电源芯片+隔离变压器”的整体方案，这不仅大大简化了设计过程，还降低了开发周期。此举无疑为产业链的整体发展提供了新助力。

  把目光放得更远，随着国产SiC MOSFET的不断成熟，这一技术将在新能源汽车快充和光伏储能等领域占据优势地位。行业专家们相信，未来几年内，借助这些创新技术的普及，我们的充电桩市场将迎来质的飞跃！

  总结来说，单级变换技术在充电桩中的应用正在推动整个电力电子行业的加快速度进行发展，国产SiC MOSFET凭借其技术优势和成本竞争力，正成为一股不可阻挡的力量。只要我们快速解决当前技术所面临的挑战，未来的市场将会更加广阔。让我们共同期待，充电桩的明天，将会因技术的进步而更加亮丽！你对此有什么看法呢？欢迎各位留言讨论！

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